引入堆叠箱式电容单元的数兆位动态存储器的劈开－多晶硅CMOS工艺

摘要

本发明为按劈开-多晶硅CMOS制造流程使用堆叠的箱式电容制造动态随机存取存储器的工艺。劈开-多晶硅流程表示采用分开的掩膜步骤，由单个导电层(通常为掺杂的多晶硅层)形成N-沟道和P-沟道晶体管栅极。本发明的关键在于允许形成电容后掺杂P-沟道源/漏区的CMOS制造工艺。本工艺的主要特征为在形成N-沟道器件图形后，但在形成P-沟道器件图形前淀积并平面化一厚的绝缘模层。在本工艺的一个实施例中，覆盖P-沟道晶体管区的那部分绝缘层在存储节点接触腐蚀期间被去除。这样，可采用低高宽比腐蚀来形成P-沟道器件，并且可以进行掩蔽P+注入，但不会将P-型杂质注入到N-沟道器件的源/漏区。本工艺的另一个重要特征为在工艺流程中引入P-沟道栅极侧壁间隔层和偏离P-沟道注入。