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姜艳; 陈龙; 沈克强;
东南大学,MEMS教育部重点实验室,南京,210096;
导通电阻; VDMOS; 模型; MEDICI;
机译:具有降低的导通电阻和改进的栅极氧化物可靠性的4H-SiC VDMO的优化JFET区域
机译:降低VDMOS导通电阻的新颖结构
机译:VDMOS器件的导通电阻闭合形式
机译:用于计算集成VDMOSFET导通电阻的3D分析模型
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:垂直GaN单极装置的击穿电压和特定导通电阻的分析模型
机译:4H-siC功率双极结晶体管,具有极低的特定导通电阻2.9 mOmega.cm2
机译:半导体元件的导通电阻的测定方法以及半导体元件的导通电阻的测定装置
机译:半导体元件的导通电阻的测定方法及半导体元件的导通电阻的测定装置
机译:具有高导通电阻和低导通电阻的半导体组件及其制造方法
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