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电荷泵技术在高压 MOS晶体管可靠性研究中的应用

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摘要

主要阐述了电荷泵技术在14 V HV MOS晶体管可靠性研究中的应用.使用了一种改进的电荷泵技术分析了经过热载流子加压后的器件特性.使用这种方法,我们可以精确描述器件损伤的位置和程度,以及可以精确评估由于HCI效应引起的界面缺陷的变化,为器件优化与工艺改进提供重要参考信息.

著录项

来源
《电子器件》|2009年第6期|1023-1026|共4页
作者
禹玥昀; 唐逸; 万星拱; 任铮; 胡少坚; 周伟; 李曦; 石艳玲;
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作者单位

上海集成电路研发中心,上海,200000;

华东师范大学,上海200062;

上海集成电路研发中心,上海,200000;

上海集成电路研发中心,上海,200000;

上海集成电路研发中心,上海,200000;

上海集成电路研发中心,上海,200000;

上海集成电路研发中心,上海,200000;

华东师范大学,上海200062;

华东师范大学,上海200062;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
电荷泵; 界面缺陷密度; 高压MOS; 热载流子注入;

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