小尺寸VDMOS阈值电压温度特性模型

姚进; 张敏; 沈克强

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研究了温度对VDMOS阈值电压中各参数的影响,确定了受温度影响较大的参数.为提高模型的精确度,建立了短沟道的阈值电压温度特性模型,模型考虑到VDMOS元胞结构中的小尺寸效应.最后将250K至500K温度范围内模型的阈值电压温度特性与MEDICI的仿真结果及忽略短沟道效应的温度模型进行比较,验证了模型的准确性.

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来源
《电子器件》 |2009年第1期|89-92|共4页
作者
姚进; 张敏; 沈克强;
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作者单位

东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096;

东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096;

东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
VDMOS; 温度特性; 阈值电压; 短沟道效应; MEDICI;

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