机译:伪非晶Si_(0.8)Ge_(0.2)p沟道MOSFET的二维分析阈值电压建模
机译:未掺杂对称双栅极MOSFET的二维分析阈值电压和亚阈值摆幅模型
机译:包含量子力学效应的纳米级应变Si / Si_(1-x)Ge_x MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:阈值电压的三维(3-D)分析建模,DIBL和Qualtical围绕MOSFET的圆柱形栅极的摆动
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:包含量子力学效应的纳米级应变Si / Si1-xGex MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:由量子效应引起的随机掺杂剂诱导阈值波动和低于100 nm mOsFET的降低:三维密度梯度模拟研究