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机译:基于3-D泊松方程解析解的小尺寸AlGaN / GaN HEMT阈值电压模型
Semiconductor Devices Research Laboratory, Department of Electronic Science, University of Delhi, South Campus, New Delhi 110021, India;
algan/gan HEMT; small geometry; short channel effects; three-dimensional (3-D) modeling; threshold voltage;
机译:包含陷阱电荷和极化感应电荷的三材料栅极AlGaN / GaN HEMT的沟道电势和阈值电压的分析模型
机译:三重材料栅极AlGaN / GaN HEMT通道电位和阈值电压的分析模型,包括捕获和极化诱导的电荷
机译:Gan-Cappe AlGaN / GaN和Alinn / GaN Hemts电流电压特性的分析模型,包括热和自热效应
机译:不对称掺杂的AlGaN / GaN / AlGaN双异质结构HEMT的薄层载流子浓度和阈值电压建模
机译:使用基于AlGaN / GaN的HEMT器件的人MIG分析和实验生物传感器。
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:基于氟化物的等离子体处理控制alGaN / GaN HEmT的阈值电压:从耗尽模式到增强模式