GaN基MFS结构C-V特性研究

胡辉勇; 张鹤鸣; 崔敏; 戴显英; 宋建军

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采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在n型GaN衬底上制备了PZT铁电薄膜及其相应的金属-铁电体-半导体(MFS)结构,测量了该MFS结构的C-V特性,从理论上分析了所制备的MFS结构的阈值特性.阈值电压的实验与理论分析结果吻合较好.采用PZT铁电薄膜作为GaN基MFS结构的栅介质,利用其高介电常数和较强的极化电场可以显著降低GaN基MFS器件的工作电压.

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来源
《电子器件》 |2010年第6期|684-686|共3页
作者
胡辉勇; 张鹤鸣; 崔敏; 戴显英; 宋建军;
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作者单位

西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安,710071;

西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安,710071;

西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安,710071;

西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安,710071;

西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安,710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类绝缘栅场效应器件;
关键词
PZT铁电薄膜; 溶胶-凝胶法; MFS结构; C-V特性; 阈值电压;

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