AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈

摘要

原子層堆積法により30nm-Al_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN上にAl_2O_3絶縁ゲート構造を作製し、ポテンシャル制御特性について容量－電圧（C-V）特性評価および考察を行った。Al_2O_3/AlGaN/GaN構造において、順バイアスおよび逆バイアス領域で2段階の容量値減少を含むC-V特性を観測した。順バイアス領域における1つ目の容量値減少は、伝導体下端近傍に位置する界面準位の充放電に起因して、印加電圧に依存するヒステリシス特性が表れた。一方、逆バイアス領域で観測される2つ目の容量値減少においては、光照射によりしきい値の平行シフトが確認された。この特性から界面準位密度を見積もったところ、mid-gap付近において～5×10~(12)cm~(_2)eV~(-1)程度となった。