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SOI工艺; 工艺设计; 射频器件; 工具包; 半导体; 微米; 绝缘体上硅; 射频前端;
机译:深亚微米SOI工艺中的单片像素检测器
机译:用于数字和射频应用的完全耗尽的SOI工艺和设备技术
机译:半导体故障分析中采用4针尖-0.2微米探测技术测量晶体管的电特性
机译:TCAD原型,具有适用于0.2微米CMOS-ASIC工艺的全新精确最坏情况定义
机译:在SOI衬底上进行0.8微米CMOS制造工艺的开发和表征(法文)。
机译:射频MEMS开关的制造和测试使用互补金属氧化物半导体工艺
机译:使用TCAD仪器工艺建模系统开发和研究0.35微米SOI MOS晶体管的SOI MOS晶体管模型
机译:0.18微米硅锗(siGe)和硅绝缘体(sOI)工艺中的衬底噪声耦合分析
机译:SOI型半导体器件的制造和设计方法以及SOI型半导体器件
机译:使用微米设计规则制造设备制造亚微米CMOS的超自对准工艺
机译:半导体结构,形成半导体结构的方法以及操作半导体器件的方法(具有增强的信号保真度和电隔离性的SOI射频开关)
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