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SOI工艺; 工艺设计; 射频前端; 微米; 工具包; 射频开关; 插入损耗; 半导体;
机译:深亚微米SOI工艺中的单片像素检测器
机译:用于数字和射频应用的完全耗尽的SOI工艺和设备技术
机译:在特定工艺的过滤器验证测试期间,评估低表面张力流体的体积通量和最大通量对0.2微米级过滤器细菌渗透的影响
机译:TCAD原型,具有适用于0.2微米CMOS-ASIC工艺的全新精确最坏情况定义
机译:在SOI衬底上进行0.8微米CMOS制造工艺的开发和表征(法文)。
机译:由草酸溶液溶液衍生的微米尺寸的单分散颗粒LINI0.6CO0.2MN0.2O2与煅烧为锂离子电池的阴极材料
机译:使用TCAD仪器工艺建模系统开发和研究0.35微米SOI MOS晶体管的SOI MOS晶体管模型
机译:0.18微米硅锗(siGe)和硅绝缘体(sOI)工艺中的衬底噪声耦合分析
机译:使用微米设计规则制造设备制造亚微米CMOS的超自对准工艺
机译:通过使用临时多路复用工艺和射频涡调制技术对高深宽比soi结构进行刻蚀
机译:用于深亚微米制造工艺的对称双极结型晶体管设计
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