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工艺设计; 工具包; 微米; 合作; 宏; 半导体制造; 模拟平台; 扩展参数;
机译:采用0.18微米CMOS工艺的类似于1.5 GHz宽带功率放大器的0.7设计
机译:使用0.18微米CMOS工艺微芯片上的太阳能电池和DC-DC转换器的设计与调节器
机译:采用0.18微米CMOS工艺的4.36 fJ /转换步长超低功耗16位逐次逼近寄存器电容数字转换器
机译:130 nm RFCMOS技术中无源器件的开发以及用于RF VCO设计的PDK实现
机译:采用0.18微米硅锗化物BiCMOS工艺实现的高速折叠和插值模数转换器的设计
机译:0.18 µm CMOS工艺中的高速,低偏移动态锁存比较器的设计
机译:采用0.18美元/微米CMOS工艺制造的CMOS单片有源像素传感器的非电离辐射硬度
机译:0.18微米硅锗(siGe)和硅绝缘体(sOI)工艺中的衬底噪声耦合分析
机译:使用衰减相移掩模将密线/空间图案的分辨率提高到0.18微米及以下设计规则的方法
机译:适用于0.18微米以下深层闪存技术的低缺陷密度工艺
机译:具有在宏中提供并独立于宏操作的功能块的半导体器件及其设计方法
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