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华虹NEC电子有限公司; 芯原微电子有限公司; CMOS; 半导体标准设计平台;
机译:高性能0.25微米CMOS技术。一,设计与表征
机译:0.25微米双栅氧化层厚度CMOS工艺对多指深亚微米MOS器件闪烁噪声性能的影响
机译:0.13微米CMOS一代低噪声前端电子设备的设计标准
机译:用于标准亚微米CMOS SoC设计的基于微孔板的传感器平台
机译:FPGA和基于0.18微米CMOS的ASIC中高级加密标准的设计和实现。
机译:0.25至2.6微米区域的光谱辐射标准
机译:适用于LHC实验的标准深亚微米CMOS技术中的耐辐射VLSI电路:实用设计方面
机译:采用0.25微米全耗尽sOI CmOs工艺制造的晶体管的热载流子可靠性
机译:形成具有基本相同的小于0.25微米栅极长度的CMOS晶体管的双隔离层方法
机译:通过在退火之前制造互连线并制造半导体芯片来减少0.25微米和更小半导体芯片技术的应力诱发空隙的方法
机译:道路资产所有者/经理,地方政府,州政府和联邦政府是目标市场。提供一种服务和软件,可提供道路网络的道路资产地理数据日志,包括不受干扰的地质取芯,目的是提供地下地理数据以供将来参考。这将包括道路路面基层/结构层和路基土壤测试数据。该数据将提供用于桌面设计的平台以及用于验证与道路资产管理相关的假设的工具/方法,例如,消费比率和生命周期评估等
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