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一种VDMOS阈值电压和导通电阻的优化方法

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摘要

功率场效应晶体管应用广泛,其阈值电压和导通电阻是其重要的参数.针对不同栅氧厚度的产品设计不同的多晶硅厚度实验来寻找最佳工艺条件,最终找到了阈值电压产品和导通电阻的最佳多晶硅厚度条件.

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来源
《集成电路应用》|2018年第6期|33-35|共3页
作者
陈惠明;
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作者单位

上海先进半导体制造股份有限公司,上海 200233;

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正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
集成电路制造; 功率场效应晶体管; 阈值电压; 导通电阻;

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