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谢剑钧; 陆栋; 张涛;
不详;
异质结; 偶极子; 界面; 能带偏移;
机译:通过基于密度的界面能量最小化,在半导体异质结处形成能带偏移
机译:ZnO / SiC异质结处的能带偏移:能带排列中的异质界面
机译:脉冲激光沉积ITO / n-Si(111)异质结的电学表征和能带偏移的研究
机译:能带弯曲和能带偏移在少数载流子跨a-Si / c-Si异质结太阳能电池的有序/无序界面传输中的影响
机译:纤锌矿氮化铝,氮化镓和氮化铟的异质结处的半导体电子能带对准。
机译:ASnO3(A = CaSr和Ba)和SrTiO3异质界面的应变相关电子结构和能带偏移调整
机译:BeTe / ZnSe(100)异质结的能带偏移和稳定性
机译:突变半导体异质结的能带阵容理论。
机译:具有掺杂界面偶极子的异质结半导体器件
机译:具有在衬底中形成的硅化物层完全占据的非晶层和(111)硅平面的界面结的半导体器件
机译:具有纳米图案化界面的有机-无机异质结太阳能电池的制造方法及其由此制得的有机-无机异质结太阳能电池
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