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Er2O3单晶薄膜的生长以及Er2O3/Si异质结的能带偏移

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本文使用分子束外延的方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700°C、7×10-6Torr的条件下首次实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.在较低的温度和较低的氧气压下在薄膜内易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化.本文还利用光电子能谱对Er2O3/Si异质结的能带偏差作了初步的研究.

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来源
《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》|2005年|295-298|共4页
会议地点北京
作者
朱燕艳; 徐闰; 陈圣; 方泽波; 薛菲; 樊永良; 蒋最敏;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.054.4;
关键词
Er2O3单晶薄膜; 分子束外延; Er2O3/Si异质结; 能带偏移;

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