机译:通过基于密度的界面能量最小化,在半导体异质结处形成能带偏移
Department of Physics, Brooklyn College, CUNY, Brooklyn, New York 11210, USA and Physics Program, Center, CUNY, New York, New York 10016, USA;
Department of Materials and Interfaces, Weizmann Institute of Science, Rehovoth 76100, Israel;
机译:通过基于密度的界面能量最小化,在半导体异质结处形成带偏移
机译:不同半导体之间异质结接口的混合带偏移计算
机译:通过最小化能量来解决块状带偏移的奥秘:钙钛矿氧化物异质结的教训
机译:能带弯曲和能带偏移在少数载流子跨a-Si / c-Si异质结太阳能电池的有序/无序界面传输中的影响
机译:在MOCVD生长的III型氮化物异质结器件中使用极化感应的界面电荷进行能带工程。
机译:X射线光电子能谱研究原子层沉积Al2O3 / Zn0.8Al0.2O异质结中的能带偏移测量
机译:半导体异质结的平均键合抗能及其在计算价带偏移中的应用