δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs／InGaAS／GaAs结构的光谱研究

摘要

报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／ＩＯｎ０．１５Ｇａ０．３５Ａｓ／ＧａＡｓ的综合光谱研究结果。采用光致发光光谱，平面光电流谱方法，并与理论计算相对比，确认了光致发光谱上ｎ＝１电子子带，ｎ＝２电子子带到ｎ＝１重空穴子带间的强发光峰，对弱峰Ｃ的研究表明它是ｎ＝１电子子带到ｎ＝１轻空穴子带复合跃迁的发光。