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李明; 徐明; 刘惠周;
不详;
硅表面; 外延; 银; 二维生长; 有序化;
机译:C_(60)层对Si(111)√31/ 2-Au和Si(111)√31/ 2-Ag表面上Au和Ag薄膜的生长模式和电导率的影响
机译:Si表面二维金属合金的拓扑状态:BiAg / Si(111)-4×4表面
机译:Si表面二维金属合金中的拓扑状态:Biag / Si(111)-4 x 4表面
机译:Si(111)-(3〜(1/2)x3〜(1/2))/ 30° -Cr表面相对Si(111)上二维铁层的生长和电导率的影响
机译:Ag(111)和Pd / Ag(111)单原子合金表面的选择性氢化反应
机译:在分子束上形成的有序二维结构Ge在硅/ Ag(111)表面上的外延生长
机译:在si(111)上生长的邻近si(111)表面和ag薄膜的RHEED研究
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:Si100 / Si111硅蚀刻剂组合物表现出低Si100 / Si111选择性和低碳化硅蚀刻速率
机译:在Si(111)上无针孔外延生长CoSi.sub.2薄膜
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