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张剑铭; 邹德恕; 徐晨; 顾晓玲; 沈光地;
北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京,100022;
GaN; 发光二极管; 电极结构; 大功率;
机译:表面处理对带电镀金属基底的垂直结构GaN基大功率发光二极管性能的影响
机译:电镀制备的大功率GaN基大功率发光二极管的连接插头
机译:p-GaN /溅射沉积NiAg基电极的界面性能对垂直GaN基LED的光学性能的影响
机译:超过450 mW的大功率GaN基蓝色超发光二极管
机译:GaN基发光二极管和垂直腔表面发射激光器的量子效率增强。
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:具有低温p-GaN空穴注入层的GaN基发光二极管的增强性能
机译:Nichia alGaN / InGaN / GaN蓝色发光二极管的寿命试验
机译:修饰p型电极的GaN基发光二极管及其制造方法
机译:GaN基LED元件电极和GaN基LED元件及其制备方法。
机译:使用GaN基质作为生长基质的GaN基发光二极管
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