公开/公告号CN213636035U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-07-06
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市益贝电子实业有限公司;
申请/专利号CN202023130521.9
发明设计人 刘仁娟;
申请日2020-12-23
分类号H01L33/62(20100101);H01L33/48(20100101);H01L25/075(20060101);
代理机构
代理人
地址 518125 广东省深圳市宝安区新桥街道万丰社区中心路18号高盛大厦A座九层
入库时间 2022-08-22 22:42:12
机译: GaN基发光二极管芯片及制造发光二极管结构元件的方法
机译: 具有电流扩散结构的GaN基发光二极管
机译: 具有电流扩散结构的GaN基发光二极管