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一种超大功率GaN基发光二极管结构

摘要

本实用新型公开了一种超大功率GaN基发光二极管结构,包括发光二极管本体,所述发光二极管本体外侧靠近下表面的位置固定安装有一号固定板,所述发光二极管本体外侧位于一号固定板上表面的位置固定安装有二号固定板,所述发光二极管本体下表面靠近两端的位置固定安装有引线架,所述二号固定板上表面对应于前表面与后表面中部的位置开设有连接卡口。本实用新型所述的一种超大功率GaN基发光二极管结构,通过二号固定板上的连接卡口与连接卡块,拼接更加方便,这样拼接可以形成不同的图形,橡胶垫可以使得拼接后结构更加牢固,一号固定板使得多个GaN基发光二极管拼接起来显得更加平整,通过引线架通过折叠口更加容易折断与弯曲,使得焊接与安装更加方便。

著录项

  • 公开/公告号CN213636035U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市益贝电子实业有限公司;

    申请/专利号CN202023130521.9

  • 发明设计人 刘仁娟;

    申请日2020-12-23

  • 分类号H01L33/62(20100101);H01L33/48(20100101);H01L25/075(20060101);

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  • 代理人

  • 地址 518125 广东省深圳市宝安区新桥街道万丰社区中心路18号高盛大厦A座九层

  • 入库时间 2022-08-22 22:42:12

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