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声明
第1章绪论
1.1引言
1.2 GaN及GaN基发光二极管发展简介
1.2.1 GaN材料的特性及发展
1.2.2 GaN基发光二极管的发展
1.3 LED的应用及前景
1.4本论文的主要研究工作
第2章GaN基蓝光LED电学特性分析
2.1引言
2.2 LED器件工作原理及电学特征参数
2.2.1 LED的工作原理
2.2.2电学特征参数
2.3电压温度系数的计算
2.4理想因子的计算
2.4.1电流电压特性的变温实验
2.4.2结果与讨论
2.5本章小结
第3章GaN基蓝光LED光学性能的分析
3.1引言
3.2 LED器件光电特征参数
3.3光功率随注入电流变化的分析
3.4峰值波长随注入电流变化的分析
3.4.1实验现象及分析
3.4.2峰值波长红移温度系数的计算
3.4.3多量子阱中场强的计算
3.5本章小结
第4章p-InGaN层的欧姆接触特性及其器件研究
4.1引言
4.2欧姆接触
4.2.1欧姆接触形成机理
4.2.2圆形传输线模型测量欧姆接触电阻率的原理
4.3 p-InGaN层与Ni/Au的欧姆接触实验
4.3.1实验过程和结果
4.3.2分析与讨论
4.4带有p-InGaN层的LED器件相关实验及结果
4.5本章小结
第5章带有ITO的GaN基发光二极管特性研究
5.1引言
5.2 GaN基器件的ITO实验
5.3本章小结
第6章蓝绿光双色LED的研制
6.1引言
6.2单有源区蓝绿光双色LED
6.2.1样品准备
6.2.2实验结果与分析
6.3双有源区隧道再生蓝绿光双色LED
6.3.1隧道结原理
6.3.2实验与器件原理
6.3.3结果与讨论
6.4本章小结
总结
参考文献
攻读硕士学位期间发表的论文
致谢