表面光电压法测量a—Si：H少子扩散长度的进一步研究

摘要

建立用ＳＰＶ法测量ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜少子扩散长度Ｌｐ的新的数学模型，推导出可供具有有任意输入端口的锁相放大器所使用的测量Ｌｐ的数学表达式，为改进测试过程和提高准确度创造了条件。对合理选择偏置光强度做了较细致的分析，并从实验技术上提出确定偏置光强度的选择准则，给出了测试结果；也分析了不同强度偏置光和不同金属与ａ－Ｓｉ：Ｈ肖特基结对测量结果的影响。