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表面光电压法测定Al_xGa_(1-x)As的组分和少子扩散长度

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本文通过测量n-Al_xGa_(1-x)As/n-GaAs材料的表面光电压并推导了有关的计算公式,判定其光跃迁类型,从而计算出它们的禁带宽度,确定了Al的组分x;计算出它们的少子扩散长度.测量和计算的结果与SEM方法的测量结果基本一致.

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来源
《固体电子学研究与进展》 |1990年第2期|200-204|共5页
作者
黄景昭; 沈qi华;
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作者单位

厦门大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.26;
关键词
AlGaAs; 组分; 少子扩散; 测量; 光电压;

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