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王宗欣; 褚幼令;
复旦大学;
GaAs; 外延层; AlaAs; 少子扩散长度; 霍耳迁移率;
机译:在超浅全外延金属栅极GaAs / Al_xga_(1-x)中的高电子迁移率和低噪声量子点接触作为异质结构
机译:通过分子束外延在具有不同表面处理的GaAs缓冲层上生长的Al_xGa_(1-x)As / GaAs量子阱结构中的光学跃迁演化
机译:具有原子层沉积电介质的未掺杂高迁移率二维空穴沟道GaAs / Al_xGa_(1-x)As异质结构场效应晶体管
机译:在AL_XGA_(1-X)和IN_XGA_(1-x)上的分子束外延生长的ZnSe膜中的晶体质量和Ga偏析作为GaAs基板上的缓冲层
机译:在变质缓冲层的结构性质和形态的优化 - = sub = -x - = / sub = -al-= sub = -1-x - = / sub = -1-x - = / sub = - 通过在GaAs上的分子束外延生长的组合物(x = 0.05-0.83)的组合物的根谱(001)
机译:胂含量对VpE(气相外延) - 氢化物技术制备的Ga(x)In(1-x)外延层组成,载流子浓度,迁移率和生长速率的影响
机译:制备GaAs 1-x P外延生长层的方法。 x复合半导体
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