一个应用于探测生理信号SoC中的CMOS全集成高线性度低噪声上变频器设计

摘要

本文设计一款用于探测生理信号SoC芯片中的5GHz双边带上变频器.该混频器基于传统的吉尔伯特单元,采用交流耦合current-bleeding结构以及三阶非线性失真抵消技术抑制非线性.通过将跨导级晶体管偏置在不同的工作区域(transconductance-boost结构),使得带内变频损失小于5dB而IIP3介于22.3dBm到39.8dBm,而且双边带噪声指数小于8.2dB.应用全差分结构和感性源极钝化,再次抑制了二阶以及三阶失真.全部上变频器在1.2V供电条件下总功耗为8.4mW.