射频识别接收机前端低噪声CMOS全集成频率综合器关键模块设计

摘要

为满足射频识别接收机相位噪声性能要求,在分析了频率综合器整体噪声机制的基础上,将偶次谐波抑制电路应用于1.8 GHz压控振荡器设计并采用注入锁定高速与分频器结构,鉴频鉴相器PFD设计改善了相位死区,在整体上改善了频率综合器相位噪声。利用0.25μm 1P6M RFCMOS工艺,完成了频率综合器的完整版图设计。仿真结果表明:VCO调谐范围达到47.2%,电路整体相位噪声达到-128 dBc/Hz@1 MHz,完全满足应用要求。