首页> 外国专利> Backside integration of RF filters for RF front end modules and design structure

Backside integration of RF filters for RF front end modules and design structure

机译:用于射频前端模块的射频滤波器的背面集成和设计结构

摘要

A design structure for an integrated radio frequency (RF) filter on a backside of a semiconductor substrate includes: a device on a first side of a substrate; a radio frequency (RF) filter on a backside of the substrate; and at least one substrate conductor extending from the front side of the substrate to the backside of the substrate and electrically coupling the RF filter to the device.
机译:用于在半导体衬底的背面上的集成射频(RF)滤波器的设计结构包括:在衬底的第一面上的器件;以及在衬底的第一面上的器件。基板背面上的射频(RF)滤波器;至少一个基板导体,其从基板的正面延伸到基板的背面并且将RF滤波器电耦合到装置。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号