Rochester Institute of Technology.;
Amplifier; CMOS; Chip; Fault; Interconnects; Intra-Chip; LNA; Nm; Noise; Technology; Testing; Wireless;
机译:采用65 nm CMOS技术的24 GHz低噪声放大器设计,跨级匹配优化
机译:采用65 nm CMOS技术的24 GHz低噪声放大器设计,跨级匹配优化
机译:采用65 nm CMOS技术的24 GHz低噪声放大器设计,跨级匹配优化
机译:使用45nm技术的5G应用CMOS低噪声放大器设计
机译:使用45 nm技术设计用于蓝牙低功耗应用的2.4 GHz CMOS LNA。
机译:用于汽车压力和温度复合传感器的信号调理IC中采用180 Nm CMOS技术的低功耗小面积符合AEC-Q100标准的SENT发送器的设计
机译:无线网络的设计2.4 GHz 130nm CMOS低噪声放大器设计
机译:采用45nm绝缘硅互补金属氧化物半导体(sOI CmOs)的94GHz温度补偿低噪声放大器。