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罗曼琳; 葛峻羽; 孙文正; 翟慧芳;
湖南大学物理与微电子科学学院 长沙410082;
GaSb纳米线; 可控制备; CVD法; VLS生长机制; 光学性质;
机译:气溶胶辅助CVD法制得的CuO纳米棒和纳米线的合成,微观结构表征和光学性质
机译:MOCVD生长的氮掺杂ZnO纳米线的结构和光学表征
机译:InAs(Sb)/ GaSb核壳纳米线的选择性区MOCVD生长和载流子传输类型控制
机译:单个GaSb纳米线的电学和光学表征
机译:氮化镓和锑化镓纳米线的MOCVD生长和表征。
机译:InAs / GaSb和GaSb / InAs核-壳纳米线的能带反转间隙
机译:通过mOCVD工艺生产Gasb纳米线
机译:叔丁基镓 - 锑化合物的合成与表征; t-Bu3Gasb(sime3)3,t-Bu2Gasb(sime3)2和t-Bu2Gasb(sime3)Ga(t-Bu)2Cl的X射线晶体结构,镓 - 锑混合桥化合物的第一个例子
机译:由金属氧化物组成的网络结构的纳米线光学传感器,局部合成的纳米线,柔性纳米线光学传感器及其制造方法
机译:一维复合结构,有用的例如用于电子和光学或磁性组件或材料的包含纳米线的纳米线,该纳米线包括涂有金属氧化物的金属芯或包含该纳米线的分支结构
机译:半导体纳米线的光学特性测量平台和采用相同方法的半导体纳米线的光学特性测量方法
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