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吴东旭; 郑学军; 程宏斌; 李佳; 罗晓菊;
上海理工大学机械工程学院;
上海理工大学材料科学与工程学院;
GaN纳米线; 化学气相沉积; 催化剂; 衬底;
机译:稀氮化物GaN x inf> P 1-x inf>纳米线和GaN x inf> P 1-x inf> / GaN的生长和表征气源分子束外延作用在Si(111)上的 y inf> P 1-y inf>核/壳纳米线
机译:气源分子束外延在氮化硅(111)上生长和表征稀氮化物GaN_xP_(1-x)纳米线和GaN_xP_(1-x)/ GaN_yP_(1-y)核/壳纳米线
机译:GaAs纳米线的受控生长:通过超饱和控制的工程过程可控的晶体质量和生长方向
机译:水热法在不同ZnO种子层上生长的ZnO纳米线阵列的制备与表征
机译:具有可控的空间组成变化的硫族化物合金纳米线的生长和表征,用于光电应用。
机译:硫掺杂石墨烯作为高性能电催化剂可控制铂纳米线阵列的生长
机译:使用两种不同的基底温度制备的Bi1.8Lu1.2Fe3.6Al1.4O12石榴石薄膜的生长,表征和性能
机译:Ga蒸气与氨直接反应制备GaN纳米线的结构表征。
机译:通过使用能够将GaN纳米线的垂直生长诱导为固定厚度和生长长度的Au催化剂层来生长GaN纳米线的方法
机译:相对于GAN或GAXALYIN1-X-YN层表观生长方向的制备和测量GAN或混合晶体GAXALY1-X-YN的表面取向的方法
机译:GaN单晶的生长方法,GaN基体的制备方法,GaN基元素的制备方法和GaN基元素
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