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GaN纳米线的制备与表征

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采用化学气相沉积(CVD)法,以甩涂在Si(111)衬底上的Ga2O3薄膜和NH3作为原料,在无催化荆条件下成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、能量散射谱(EDS)仪和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品进行了成分和结构分析,并讨论了其生长机理.结果表明:生成的GaN纳米线平直光滑,直径在30～80nm内,长度可达几十微米,纳米线为六方纤锌矿结构的GaN晶体.

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来源
《2006年全国功能材料学术年会》|2006年|850-851857|共3页
会议地点敦煌
作者
王非; 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室; 杨冬; 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室; 李春华; 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室; 梁建; 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室; 马淑芳; 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室; 刘旭光; 许并社; 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类特种结构材料;
关键词
氮化镓; 化学气相沉积; 纳米线;

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