HCVD法生长InN纳米棒的可控制备及表征

摘要

实验通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置在Si(111)衬底上实现了InN纳米棒的可控生长.系统研究了InCl3源区温度、NH3流量和N2载气流量对InN纳米棒生长的影响,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对样品结构,形貌和元素组成进行了表征.结果表明,InCl3源区温度的升高,有利于提高生长区InN纳米棒的形核率和生长速率;NH3流量大小对InN纳米棒晶体质量有重要影响,适量NH3流量会满足In源生长需要的Ⅴ/Ⅲ比,改善纳米棒晶体质量,当NH3流量过大时,In空位缺陷的形成会使晶体质量变差;N2载气流量大小会影响In源和N源的浓度和偏压,从而能有效调控InN纳米棒直径和生长速率.研究实现了InN纳米棒的可控生长,为开发高性能InN纳米棒器件奠定了基础.