InN纳米棒的生长

摘要

本文阐述了利用分子束外延生长InN纳米棒，提出了一种新颖的纳米棒生长方法，通过此方法获得了直径均匀的InN纳米棒。利用纳米压印技术获得了图形化的GaN/Sapphire衬底。然后，利用MBE方法在图形化衬底上外延生长InN纳米棒。SEM结果显示，InN纳米棒选择性的在刻蚀的GaN纳米棒上生长，在其他被刻蚀的区域没有出现InN的纵向或侧向外延。这种方法获得的InN纳米棒延续了GaN模板的形貌，排列整齐，其直径沿着生长方向没有明显的变化。