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Si基ZnMgO/InN核壳纳米棒异质结特性研究

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本文在Si衬底上制备了p-Si/ZnMgO/n-InN核壳纳米棒异质结结构,器件具有明显的整流特性,其开启电压在0.7V左右,基于异质结界面特性、能带结构及电学传输特性的研究,ZnMgO层的引入有效的提高了Si基InN异质结器件的近红外电注入发光效率,为稳定高性能的Si基InN纳米结构器件的设计提供了可能.

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来源
《第二届全国宽禁带半导体学术会议》||102|共1页
会议地点西宁
作者
吴国光; 高福斌; 李万程; 张宝林; 杜国同;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
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中图分类
关键词
纳米光学器件; 制备工艺; 氮化铟; 锌镁氧化物; 异质结; 能带结构; 电学传输特性;

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