University of South Carolina.;
机译:外延生长和层转移技术,用于电子和光子设备材料的异质集成
机译:低能X射线和臭氧暴露引起的石墨烯材料和器件中的缺陷形成
机译:石墨烯超出2D材料的外延生长和物理性质:从单体材料到二元化合物
机译:低缺陷SiGe缓冲层的外延生长,用于将新材料整合在300mm硅晶片上
机译:碳化硅上的外延石墨烯薄膜:生长,表征和器件。
机译:毫米级器件中的外延石墨烯均匀性和量子霍尔效应
机译:van der wa绑定有机/ 2d绝缘体杂交结构:Hbn(001)上的丙烯薄膜外延生长及表面缺陷的影响
机译:用于电子器件的III-氮化物/石墨烯异质结构的外延生长。