机译:低弛豫位错密度的松弛SiGe层外延生长的新型薄缓冲概念
机译:氧化物衬里,阻挡层和种子层以及用于3D IC集成的300毫米晶圆上盲孔硅通孔(TSV)的铜镀层
机译:Centura反应器中三氯硅烷在200和300毫米晶片上硅外延生长的比较
机译:低缺陷SiGe缓冲层的外延生长,用于将新材料整合在300mm硅晶片上
机译:使用各种缓冲层在硅(111)晶圆上生长和表征氮化铝镓/氮化镓异质结构。
机译:直接激光熔化硅晶片上的硅外延生长
机译:硅片上的应变硅通过晶圆键合和弛豫siGe缓冲层的层转移