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龚星星;
西安电子科技大学;
机译:0.1μmInP HEMT和GaAs PHEMT的应力相关氢降解
机译:电应力下射频功率GaAs PHEMT的降解均匀性
机译:InP HEMT和GaAs PHEMT中氢致压电效应的模型
机译:铁电动电容器对铁电随机存取记忆性能增强的应力效应研究
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:INP HEMTS和GAAS PHEMTS中氢诱导压电效应的模型
机译:空间光调制器在Gaas / alGaas多量子阱中使用电荷耦合器件寻址和电吸收效应
机译:使用GaAs pHEMT器件的低失真宽带放大器
机译:基于GAAS PHEMT过程的中间频率放大器
机译:GaAs pHEMT上的电平转换开关驱动器
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