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第1章 绪论
1.1. 微电子机械系统(MEMS)
1.2. 微细加工技术
1.2.1. 硅微加工技术
1.2.2.LIGA技术和UV-LIGA技术
1.2.3. 微细加工技术中的多学科性
1.3. 光刻技术
1.3.1. 光刻胶技术
1.3.2. 光刻工艺的分类
1.3.3. 掩模及其加工
1.4. 光刻仿真技术的发展及其研究意义
1.4.1. 投影式光刻仿真
1.4.2. 接触/接近式及深度光刻仿真
1.4.3. 光刻仿真的研究意义
1.5. 本文的主要工作
本章参考文献
第2章 接近式光刻模拟理论
2.1. 引言
2.2. 接近式曝光模拟理论
2.2.1. 纯光学曝光模拟理论
2.2.2. 光化学曝光模拟理论
2.3. 后烘模拟理论
2.3.1.化学放大胶
2.3.2. 后烘反应动力学模型
2.4. 显影速率模型
本章参考文献
第3章 SU-8接近式深度光刻曝光理论模型的建立与计算
3.1. 基于模拟退火算法的接近式光刻掩模的光学临近效应矫正
3.1.1. 模拟退火算法简介
3.1.2. 掩模平面光场波前对场点的有效影响范围
3.1.3. 在有效影响范围下对二元灰阶编码掩模的模拟退火算法矫正
3.2. 基于Dill模型建立SU-8接近式深度曝光理论模型
3.2 1. 经典Dill曝光模型
3.2.2. 对Dill模型在深度轴上进行扩展
3.2.3. 对Dill模型在时间轴上进行扩展
3.3. 改进深度曝光模型及其计算结果分析
3.3.1. 时间轴和深度轴模型间的联系
3.3.2. 完整深度曝光模型的计算结果及其分析
3.4.本章总结
本章参考文献
第4章 SU-8接近式深度光刻后烘理论模型的建立与计算
4.1. SU-8胶后烘反应过程
4.2. Ferguson后烘反应动力学模型
4.3.后烘反应-扩散模型
4.3.1. 菲克扩散模型
4.3.2. 第二类扩散模型
4.4. 对后烘扩散建模的一些展望
4.5.本章总结
本章参考文献
第5章 总结与展望
5.1.本文的主要工作
5.2.本文的创新之处
5.3.不足之处
5.4. 深度光刻误差矫正方法可行性展望
本章参考文献
附录:发表论文情况
致 谢