浸没场引导的曝光和曝光后烘烤工艺

摘要

本发明涉及浸没场引导的曝光和曝光后烘烤工艺。在一个实施方式中，一种装置包括处理腔室，所述处理腔室包括：基板支撑件，所述基板支撑件具有基板支撑表面；热源，所述热源嵌入在所述基板支撑件中，配置用于将定位在所述基板支撑表面上的基板加热；电极组件，所述电极组件被配置成在基本上垂直于所述基板支撑表面的方向上产生电场，其中所述电极组件与所述基板支撑表面相对地定位，使所述电极组件的向下表面面对所述基板支撑表面，其中所述电极组件与所述基板支撑件间隔开，以便在所述电极组件与所述基板支撑表面之间限定处理容积；以及约束环，所述约束环设置在所述基板支撑件或所述电极组件的边缘，配置用于保持中间介质。