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机译:用于光致抗蚀剂曝光后烘烤的最佳温度曲线
Anders Hansson; Stephen Boyd;
机译:极紫外光致抗蚀剂中的脱保护模糊:基本载荷和曝光后烘烤温度的影响
机译:高活化能抵抗系统的曝光后烘烤温度注意事项
机译:光刻胶曝光后烘烤的最佳温度曲线
机译:在亚适温下叶面施用日本根瘤菌脂低聚寡糖(LCO)后大豆基因表达谱的变化。
机译:番茄砧木在次优的土壤温度下调解植物水关系和叶片养分曲线
机译:光酸发生器浓度及曝光后烘烤温度对ARF准分子激光抗蚀剂溶出行为的影响。
机译:有机光刻胶去除成分,能够在硬烘烤,等离子刻蚀和高温灰化过程后有效去除光刻胶和光刻胶残留物
机译:超低温后曝光烘烤光刻胶材料
机译:通过在竖窑的焙烧炉中合理分配热量来控制焙烧炉的压力和温度作为最佳操作条件的装置
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