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集成SBD的4H-SiC槽栅结构MOSFET仿真研究

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2.1.1 阻断特性

2.3.1 禁带宽度模型

5.2 展望

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作者
白瑞杰;
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作者单位

西安电子科技大学;

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授予单位西安电子科技大学;
学科电子科学与技术
授予学位硕士
导师姓名王悦湖;
年度 2020
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总页数
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词

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