p型突出屏蔽区4H-SiC UMOSFET结构仿真研究

摘要

研究了一种新型4H-SiC U型槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管(UMOSFETs)结构.该结构中的p-body区下方有一p型突出屏蔽区.在关态下,该p型突出屏蔽区能够有效的保护栅氧化层,降低栅氧电场,提高击穿电压.在开态下,该p型屏蔽区并没有对器件的电流产生阻碍作用,并没有带来JFET电阻效应,能够有效的降低器件导通电阻.此外,该结构表面还集成了polySi/SiC异质结二极管,降低了器件的反向恢复电荷,从而改善器件的反向恢复特性.仿真结果显示,与p+-SiC屏蔽区UMOSFET结构比较,该新结构的特征导通电阻降低了53.8％,反向恢复电荷减小了57.1％.