一种4H-SiC侧栅集成SBD MOSFET器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种4H‑SiC侧栅集成SBD MOSFET器件及其制备方法，该MOSFET器件包括：衬底层；漂移层，位于衬底层上表面；掩蔽层和基区，分别位于漂移层上表面；肖特基电极，位于掩蔽层上表面；第一源极，位于掩蔽层上表面和肖特基电极的上表面；栅介质层，位于第一源极上表面、掩蔽层的上表面以及漂移层第三区域的上表面；多晶硅栅层，位于栅介质层内表面；第一源区和第二源区，均位于基区上表面；第二源极，位于第一源区和第二源区上表面；栅极，位于多晶硅栅层上表面；漏极，位于衬底层下表面。本发明通过在槽栅结构侧壁形成SBD二极管，消除了双极退化效应，减小器件二极管工作模式下开启电压，增大了器件的开关速度，降低了器件的开关功耗，提升了器件性能。