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闫锐; 杨霏; 陈昊; 彭明明; 潘宏菽;
专用集成电路国家重点实验室;
4H-SiC肖特基势垒二极管; 4H-SiC结势垒肖特基; 退火; 正向特性; 反向特性;
机译:基于双4H-SIC JBS和SBD设备的高性能温度传感器
机译:4H-SiC浮动结SBDs(FJ_SBDs)的制作
机译:导纳光谱法研究Au / n型4H-SiC SBDs的表面状态,弛豫时间和俘获截面的能量密度分布
机译:重复浪涌电流应力下4H-SiC SBD / JBS二极管的可靠性
机译:基于4H-SiC和AlxGA1-XN的紫外检测应用的异质结装置研究
机译:基于双4H-SiC JBS和SBD器件的高性能温度传感器
机译:4H-siC浮动结sBD(FJ_sBD)的制作
机译:al + - 和p + - 注入4H-siC的超高温微波退火;期刊论文
机译:肖特基障碍物二极管(SBD)及其离场融合PN /肖特基二极管或结型障碍物肖特基(JBS)二极管
机译:肖特基势垒二极管(SBD)及其下冲合并PN /肖特基二极管或结势垒肖特基(JBS)二极管
机译:通过脉冲快速热退火消除4H-SIC中的基面位错
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