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目录
第一章 绪论
1.1 GaN概论
1.2 AlGaN/GaN HEMT概况
1.3本文的主要工作安排
第二章 AlGaN/GaN HEMT的制备工艺与Silvaco仿真简介
2.1 AlGaN/GaN HEMT的制备工艺
2.2氟等离子体对AlGaN/GaN HEMT的基本影响
2.3 Silvaco仿真软件简介
2.4 本章小结
第三章 不同氟等离子体处理时间对AlGaN/GaN HEMT的影响
3.1 过刻蚀工艺研究背景
3.2实验设计
3.3正常刻蚀完成器件的直流特性
3.4不同氟等离子体处理时间对器件特性的影响
3.5 本章小结
第四章 不同氟等离子体处理功率对AlGaN/GaN HEMT的影响
4.1 研究背景
4.2实验设计
4.3不同氟等离子体处理功率下器件的直流特性研究
4.4不同氟等离子体处理功率下器件中的陷阱分析
4.5 本章小结
第五章 氟等离子体处理的LDD HEMT特性研究
5.1 LDD HEMT仿真分析
5.2 LDD HEMT设计
5.3 LDD HEMT的直流特性研究
5.4 LDD HEMT的击穿特性研究
5.5 LDD HEMT的可靠性研究
5.6 本章小结
第六章 总结
致谢
参考文献
研究成果
西安电子科技大学;