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致谢
1 绪论
1.1 功率集成电路中的MOS器件简介
1.1.1 LDMOS器件
1.1.2 VDMOS器件
1.1.3新型器件
1.2 MOS器件的可靠性问题
1.2.1 热载流子效应
1.2.2 关态雪崩击穿下的可靠性
1.3 本课题的主要工作及章节安排
2 热载流子效应的原理和研究方法
2.1 热载流子效应的微观机理
2.1.1 界面态和氧化层陷阱电荷
2.1.2 NMOS的热载流子效应
2.2 热载流子效应的研究方法
2.2.1 应力实验方法
2.2.2 TCAD仿真方法
2.2.3 电荷泵测试方法
2.3 本章小结
3 NLDMOS器件的热载流子效应研究
3.1 UG-NLDMOS的热载流子效应
3.1.1 UG-NLDMOS的结构
3.1.2 直流电压应力实验
3.1.3 TCAD仿真分析退化机制
3.1.4 Ndd注入剂量的影响
3.1.5积累区长度的影响
3.1.6寿命模型的验证
3.1.7 UG-NLDMOS与NMOS的对比
3.2 SG-NLDMOS的热载流子效应
3.2.1 SG-NLDMOS的结构
3.2.2 直流电压应力实验
3.2.3 TCAD仿真分析退化机制
3.2.4 电荷泵测试
3.2.5 SG-NLDMOS的退化机制
3.2.6 Ndd注入剂量的影响
3.2.7 Ld的影响及寿命模型的验证
3.3 NLDMOS热载流子效应的总结
3.3.1 两种NLDMOS热载流子效应的比较
3.3.2实验中的异常现象
3.4 改善NLDMOS热载流子效应的方法
3.5 本章小结
4 NLDMOS器件在关态雪崩击穿下的退化
4.1 UG-NLDMOS的BV退化
4.1.1 电流脉冲应力实验
4.1.2 Ndd注入剂量的影响
4.2 SG-NLDMOS的BV退化
4.2.1 电流脉冲应力实验
4.2.2电荷泵测试
4.2.3 退化机制的确定
4.2.4 Ndd注入剂量的影响
4.3 热载流子效应与BV退化的比较
4.4 本章小结
5 等离子扫描驱动芯片中高压MOS器件的优化设计
5.1 PDP扫描驱动芯片简介
5.2 器件的优化设计
5.2.1 PDP扫描驱动芯片中高压器件
5.2.2 HV-NVDMOS的分析
5.2.3 HV-PEDMOS的优化设计
5.3 器件版图及工艺
5.4 测试结果
5.5 本章小结
6 总结及展望
6.1 总结
6.2 展望
参考文献
作者简历及在学期间所取得的科研成果