高可靠性深沟槽功率MOS器件

摘要

本实用新型涉及一种高可靠性深沟槽功率MOS器件，所述MOS器件为垂直MOS器件，包括：位于硅片背面的重掺杂N类型掺杂漏极区，位于所述漏极区上方的轻掺杂N类型掺杂杂质的外延层；栅极导电多晶硅与所述屏蔽栅导电多晶硅由导电多晶硅间绝缘介质层隔开；沟槽的底部包覆有位于所述外延层内的第一P型重掺杂区，所述沟槽的侧壁具有一P型中掺杂区；所述外延层上表面设有绝缘介质层，一接触孔穿透所述绝缘介质层并延伸至阱层内，所述接触孔内填充有金属层，位于阱层内且在所述接触孔底部具有一第二P型重掺杂区。本实用新型当器件处于反向偏压时,使漏电流途径集中于此区域,使漏电流不会四散而导致器件损毁，且可增加反向电压阻断能力。