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机译:功率RF LDMOS器件在热应力下的可靠性研究
LEMI, University of Rouen, IUT Rouen, 76821, Mont Saint Aignan, France;
simulation; hot carrier effects; LDMOS; thermal stress;
机译:热载流子对功率RF LDMOS器件可靠性的影响研究
机译:LDMOS和LDMOS-SCR ESD保护器件可靠性下降行为的比较研究
机译:智能功率设备上热循环应力的可靠性研究
机译:脉冲加速老化寿命测试下电力RF N-LDMOS器件的RF可靠性
机译:大信号电热LDMOSFET建模以及RF功率放大器中的热存储效应。
机译:使用NATIVIS VOYAGER RFE系统的新型胶体小鼠模型中非侵入性低能量非热非电离射频能量(RFE)设备的ATPS-64临床研究
机译:高可靠性与放大器研究;用于车辆Hv应用的Nldmos设备中的弱回弹