封装RF功率晶体管器件和RF功率放大器

摘要

描述了一种封装射频功率晶体管器件，包括：(a)组件载体(254、256)；(b)管芯(110、210a)；(c)接地连接(232a)；(d)输出端引线(136、236a)，该输出端引线电连接到漏极(112d)；(e)谐振电路(122)，该谐振电路电插入到输出端引线与接地连接(232a)之间；以及(f)视频引线(134、234)，该视频引线电连接到谐振电路(122)。视频引线连接到解耦电容器(144、244)的第一接触点。接地连接连接到解耦电容器的第二接触点。相对于由组件载体(254、256)的底面横跨的基准平面，输出端引线和视频引线(234)被至少近似地布置在相同的高度水平。还描述了一种RF功率放大器，包括所述封装射频功率晶体管器件。