机译:使用电热大信号描述模拟封装式GaN功率晶体管中的RF功率
Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik;
Ferdinand-Braun-Institut;
Berlin;
Germany|c|;
Electro-thermal model; GaN high electron-mobility transistors (GaN-HEMTs); large-signal modeling; power transistors;
机译:一种简单有效的负载牵引系统,用于无线通信功率放大器设计中的射频功率晶体管大信号测量
机译:基于自洽电热模拟的GaN纳米线和鳍形功率晶体管的热性能分析
机译:SOI CMOS RF功率晶体管中的单晶体管闩锁和大信号可靠性
机译:电池双极型功率晶体管中热点现象的电热模拟:封装热阻的影响
机译:高性能基于gan的功率晶体管的开发。
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:在适用于CAD的时标上,首次展示了微波功率FET和MMIC的完全物理的,与时间相关的耦合电热仿真结果。这是通过将功率FET或MMIC中随时间变化的热流的原始分析热阻矩阵模型与晶体管的完全物理电CAD模型相结合来实现的。